功(gong)(gong)率(lv)(lv)半導體(ti)是電(dian)(dian)子(zi)(zi)裝置(zhi)中(zhong)(zhong)電(dian)(dian)能轉換與電(dian)(dian)路控制(zhi)的核心，主(zhu)要用于(yu)(yu)改變電(dian)(dian)子(zi)(zi)裝置(zhi)中(zhong)(zhong)電(dian)(dian)壓和頻(pin)率(lv)(lv)、直流(liu)交流(liu)轉換等(deng)。近年來，隨著國民經濟的快(kuai)速發展，功(gong)(gong)率(lv)(lv)半導體(ti)已廣泛地應用于(yu)(yu)消費電(dian)(dian)子(zi)(zi)、工(gong)業(ye)制(zhi)造(zao)、電(dian)(dian)力(li)輸(shu)配、交通運輸(shu)、航空(kong)航天、新能源及軍(jun)工(gong)等(deng)重點領域。功(gong)(gong)率(lv)(lv)半導體(ti)可以分為(wei)功(gong)(gong)率(lv)(lv)IC和功(gong)(gong)率(lv)(lv)分立器件兩大(da)類，其中(zhong)(zhong)功(gong)(gong)率(lv)(lv)分立器件主(zhu)要包括功(gong)(gong)率(lv)(lv)二極管(guan)(guan)(guan)、晶(jing)(jing)閘管(guan)(guan)(guan)、晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)等(deng)產品。
目前國(guo)內(nei)功(gong)率半(ban)導體(ti)(ti)(ti)產業鏈(lian)正在日(ri)趨完善，技術也正在取得突破。同時，中(zhong)國(guo)也是全球(qiu)最大(da)的功(gong)率半(ban)導體(ti)(ti)(ti)消費國(guo)，2020年市場(chang)需(xu)求規(gui)模將達到(dao)56億美元，占(zhan)全球(qiu)需(xu)求比例約為39%。伴(ban)隨(sui)國(guo)內(nei)功(gong)率半(ban)導體(ti)(ti)(ti)行業進(jin)口替(ti)代(dai)的發展趨勢，未來中(zhong)國(guo)功(gong)率半(ban)導體(ti)(ti)(ti)行業將繼(ji)續保持增長，2021年市場(chang)規(gui)模有望(wang)達到(dao)57億美元。
本公司出品的研究(jiu)報告首先介紹(shao)(shao)了(le)中(zhong)(zhong)國功(gong)(gong)(gong)率半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)行(xing)(xing)業(ye)(ye)(ye)市場(chang)發展(zhan)環境、功(gong)(gong)(gong)率半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)行(xing)(xing)業(ye)(ye)(ye)整體(ti)(ti)運(yun)(yun)行(xing)(xing)態勢等，接著分析了(le)中(zhong)(zhong)國功(gong)(gong)(gong)率半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)行(xing)(xing)業(ye)(ye)(ye)市場(chang)運(yun)(yun)行(xing)(xing)的現狀，然后介紹(shao)(shao)了(le)功(gong)(gong)(gong)率半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)行(xing)(xing)業(ye)(ye)(ye)市場(chang)競爭格局。隨后，報告對功(gong)(gong)(gong)率半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)行(xing)(xing)業(ye)(ye)(ye)做(zuo)了(le)重點企業(ye)(ye)(ye)經營(ying)狀況分析，最后分析了(le)中(zhong)(zhong)國功(gong)(gong)(gong)率半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)行(xing)(xing)業(ye)(ye)(ye)發展(zhan)趨勢與投資預(yu)測。您若想(xiang)對功(gong)(gong)(gong)率半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)行(xing)(xing)業(ye)(ye)(ye)產(chan)業(ye)(ye)(ye)有個系統的了(le)解或者想(xiang)投資中(zhong)(zhong)國功(gong)(gong)(gong)率半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)行(xing)(xing)業(ye)(ye)(ye)，本報告是您不可或缺的重要工具。本研究報告數(shu)(shu)(shu)據(ju)主(zhu)(zhu)要(yao)采(cai)用國(guo)(guo)家(jia)統(tong)(tong)計數(shu)(shu)(shu)據(ju)，海關總署，問卷調查(cha)數(shu)(shu)(shu)據(ju)，商務(wu)部(bu)采(cai)集數(shu)(shu)(shu)據(ju)等(deng)功(gong)率半導(dao)體。其中宏觀經濟數(shu)(shu)(shu)據(ju)主(zhu)(zhu)要(yao)來自(zi)國(guo)(guo)家(jia)統(tong)(tong)計局(ju)，部(bu)分行業統(tong)(tong)計數(shu)(shu)(shu)據(ju)主(zhu)(zhu)要(yao)來自(zi)國(guo)(guo)家(jia)統(tong)(tong)計局(ju)及(ji)市場調研數(shu)(shu)(shu)據(ju)，企(qi)業數(shu)(shu)(shu)據(ju)主(zhu)(zhu)要(yao)來自(zi)于國(guo)(guo)統(tong)(tong)計局(ju)規(gui)模(mo)企(qi)業統(tong)(tong)計功(gong)率半導(dao)體及(ji)證券交易(yi)所等(deng)，價(jia)格數(shu)(shu)(shu)據(ju)主(zhu)(zhu)要(yao)來自(zi)于各類(lei)市場監(jian)測功(gong)率半導(dao)體。
第一章 功率半導體產業(ye)概(gai)述(shu)
第二(er)章 半導體產業發展綜述
2.1 全球半導體市場總體分析
2.1.1 市場銷售規模
2.1.2 收入增長結構
2.1.3 產業研發支出
2.1.4 市場競爭格局
2.1.5 產業發展前景
2.2 中國半導體行業政策驅動因素分析
2.2.1 《中國制造2025》相關政策
2.2.2 集成電路產業扶持政策
2.2.3 集成電路企業稅收政策
2.2.4 國家產業基金發展支持
2.3 中國半導體市場運行狀況
2.3.1 產業發展歷程
2.3.2 產業銷售規模
2.3.3 區域分布情況
2.3.4 自主創新發展
2.3.5 發展機會分析
2.4 中國半導體產業發展問題分析
2.4.1 產業技術落后
2.4.2 產業發展困境
2.4.3 市場壟斷困境
2.5 中國半導體產業發展建議分析
2.5.1 產業發展戰略
2.5.2 產業國產化發展
2.5.3 加強技術創新
2.5.4 突破壟斷策略
第三章(zhang) 功率半導體上(shang)下游產業鏈分析
3.1 功率半導體價值鏈分析
3.1.1 價值鏈核心環節
3.1.2 設計環節的發展價值
3.1.3 價值鏈競爭形勢分析
3.2 功率半導體產業鏈整體結構
3.2.1 產業鏈結構圖
3.2.2 相關上市公司
3.3 功率半導體上游領域分析
3.3.1 上游材料領域
3.3.2 上游設備領域
3.3.3 重點行業分析
3.3.4 上游相關企業
3.4 功率半導體下游領域分析
3.4.1 主要應用領域
3.4.2 創新應用領域
3.4.3 下游相關企業
第四(si)章 功(gong)率半導體(ti)產業(ye)發展(zhan)分析
4.1 全球功率半導體發展分析
4.1.1 發展驅動因素
4.1.2 市場發展規模
4.1.3 細分市場占比
4.1.4 企業競爭格局
4.1.5 應用領域狀況
4.1.6 廠商擴產情況
4.2 中國功率半導體發展分析
4.2.1 行業發展特點
4.2.2 市場發展規模
4.2.3 市場競爭格局
4.2.4 支持基金分布
4.2.5 企業研發狀況
4.2.6 下游應用狀況
4.3 國內功率半導體項目建設動態
4.3.1 碳化硅功率半導體模塊封測項目
4.3.2 揚杰功率半導體芯片封測項目
4.3.3 臺芯科技大功率半導體IGBT模塊項目
4.3.4 露笑科技第三代半導體項目
4.3.5 12英寸車規級功率半導體項目
4.3.6 富能功率半導體8英寸項目
4.4 功率半導體產業發展困境及建議
4.4.1 行業發展困境
4.4.2 行業發展建議
第五章 功率半導體主要細分市場發展分析——MOSFET
5.1 MOSFET產業發展概述
5.1.1 MOSFET主要類型
5.1.2 MOSFET發展歷程
5.1.3 MOSFET產品介紹
5.2 MOSFET市場發展狀況分析
5.2.1 行業驅動因素
5.2.2 市場發展規模
5.2.3 市場競爭格局
5.2.4 企業競爭優勢
5.2.5 價格變動影響
5.3 MOSFET產業分層次發展情況分析
5.3.1 分層情況
5.3.2 低端層次
5.3.3 中端層次
5.3.4 高端層次
5.3.5 對比分析
5.4 MOSFET主要應用領域分析
5.4.1 應用領域介紹
5.4.2 下游行業分析
5.4.3 需求動力分析
5.5 MOSFET市場前景展望及趨勢分析
5.5.1 市場空間測算
5.5.2 長期發展趨勢
第(di)六章 功率半導(dao)體主(zhu)要細分市場發展分析——IGBT
6.1 全球IGBT行業發展分析
6.1.1 行業發展歷程
6.1.2 市場發展規模
6.1.3 市場競爭格局
6.1.4 下游應用占比
6.2 中國IGBT行業發展分析
6.2.1 市場發展規模
6.2.2 商業模式分析
6.2.3 市場競爭格局
6.2.4 企業技術布局
6.2.5 應用領域分布
6.3 IGBT產業鏈發展分析
6.3.1 國際IGBT產業鏈企業分布
6.3.2 國內IGBT產業鏈基礎分析
6.3.3 國內IGBT產業鏈配套問題
6.4 IGBT主要應用領域分析
6.4.1 工業控制領域
6.4.2 家電領域應用
6.4.3 新能源發電領域
6.4.4 新能源汽車
6.4.5 軌道交通
6.5 IGBT產業發展機遇及前景展望
6.5.1 國產發展機遇
6.5.2 產業發展方向
6.5.3 發展前景展望
第七章 功率半(ban)導體新興細(xi)分(fen)市場發(fa)展分(fen)析(xi)
7.1 碳化硅（SiC）功率半導體
7.1.1 產品優勢分析
7.1.2 市場發展歷程
7.1.3 市場發展規模
7.1.4 企業競爭格局
7.1.5 下游市場應用
7.1.6 產品技術挑戰
7.1.7 未來發展展望
7.2 氮化鎵（GaN）功率半導體
7.2.1 產品優勢分析
7.2.2 產業鏈條結構
7.2.3 市場競爭格局
7.2.4 應用領域分布
7.2.5 發展前景展望
第八章 功率半導(dao)體(ti)產業技術發展分析(xi)
8.1 功率半導體技術發展概況
8.1.1 技術演進方式
8.1.2 技術演變歷程
8.1.3 技術發展趨勢
8.2 國內功率半導體技術發展狀況
8.2.1 新型產品發展
8.2.2 區域發展狀況
8.2.3 車規級技術發展
8.3 IGBT技術進展及挑戰分析
8.3.1 封裝技術分析
8.3.2 車用技術要求
8.3.3 技術發展挑戰
8.4 車規級IGBT的技術挑戰與解決方案
8.4.1 技術難題與挑戰
8.4.2 車規級IGBT拓撲結構
8.4.3 車規級IGBT技術解決方案
8.5 車規級功率器件技術發展趨勢分析
8.5.1 精細化技術
8.5.2 超結IGBT技術
8.5.3 高結溫終端技術
8.5.4 先進封裝技術
8.5.5 功能集成技術
第九(jiu)章 功(gong)率半導體(ti)產(chan)業下游應(ying)用領(ling)域發展(zhan)分析
9.1 消費電子領域
9.1.1 產業發展規模
9.1.2 產業創新成效
9.1.3 應用潛力分析
9.2 傳統汽車電子領域
9.2.1 產業相關概述
9.2.2 產業鏈條分析
9.2.3 市場發展規模
9.2.4 市場競爭格局
9.2.5 應用潛力分析
9.3 新能源汽車領域
9.3.1 產業發展現狀
9.3.2 器件應用情況
9.3.3 應用潛力分析
9.3.4 應用價值對比
9.3.5 市場空間測算
9.4 工業控制領域
9.4.1 驅動因素分析
9.4.2 市場發展規模
9.4.3 核心領域發展
9.4.4 市場競爭格局
9.4.5 未來發展展望
9.5 家用電器領域
9.5.1 家電行業發展階段
9.5.2 家電行業運行規模
9.5.3 變頻家電應用需求
9.5.4 變頻家電銷售數量
9.5.5 變頻家電應用前景
9.6 其他應用領域
9.6.1 物聯網領域
9.6.2 新能源發電領域
第十章(zhang) 國外功率半導(dao)體產業(ye)重點企業(ye)經營分析
10.1 英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
10.1.1 企業發展概況
10.1.2 產品發展路線
10.1.3 2019財年企業經營狀況分析
10.1.4 2020財年企業經營狀況分析
10.1.5 2021財年企業經營狀況分析
10.2 羅姆半導體集團（ROHM Semiconductor）
10.2.1 企業發展概況
10.2.2 2019財年企業經營狀況分析
10.2.3 2020財年企業經營狀況分析
10.2.4 2021財年企業經營狀況分析
10.3 安森美半導體（On Semiconductor）
10.3.1 企業發展概況
10.3.2 2018財年企業經營狀況分析
10.3.3 2019財年企業經營狀況分析
10.3.4 2020財年企業經營狀況分析
10.4 意法半導體（STMicroelectronics N.V.）
10.4.1 企業發展概況
10.4.2 2018財年企業經營狀況分析
10.4.3 2019財年企業經營狀況分析
10.4.4 2020財年企業經營狀況分析
10.5 德州儀器（Texas Instruments）
10.5.1 企業發展概況
10.5.2 2018年企業經營狀況分析
10.5.3 2019年企業經營狀況分析
10.5.4 2020年企業經營狀況分析
10.6 高通（QUALCOMM, Inc.）
10.6.1 企業發展概況
10.6.2 2019財年企業經營狀況分析
10.6.3 2020財年企業經營狀況分析
10.6.4 2021財年企業經營狀況分析
第十(shi)一章 中(zhong)國功率(lv)半導體產(chan)業重(zhong)點企業經營分析
11.1 吉林華微電子股份有限公司
11.1.1 企業發展概況
11.1.2 經營效益分析
11.1.3 業務經營分析
11.1.4 財務狀況分析
11.1.5 核心競爭力分析
11.1.6 公司發展戰略
11.1.7 未來前景展望
11.2 湖北臺基半導體股份有限公司
11.2.1 企業發展概況
11.2.2 經營效益分析
11.2.3 業務經營分析
11.2.4 財務狀況分析
11.2.5 核心競爭力分析
11.2.6 公司發展戰略
11.2.7 未來前景展望
11.3 杭州士蘭微電子股份有限公司
11.3.1 企業發展概況
11.3.2 經營效益分析
11.3.3 業務經營分析
11.3.4 財務狀況分析
11.3.5 核心競爭力分析
11.3.6 公司發展戰略
11.3.7 未來前景展望
11.4 江蘇捷捷微電子股份有限公司
11.4.1 企業發展概況
11.4.2 經營效益分析
11.4.3 業務經營分析
11.4.4 財務狀況分析
11.4.5 核心競爭力分析
11.4.6 未來前景展望
11.5 揚州揚杰電子科技股份有限公司
11.5.1 企業發展概況
11.5.2 經營效益分析
11.5.3 業務經營分析
11.5.4 財務狀況分析
11.5.5 核心競爭力分析
11.5.6 公司發展戰略
11.5.7 未來前景展望
第十二章 中國(guo)功率半導體(ti)行(xing)業(ye)典型項目投資建設深度解(jie)析
12.1 超薄微功率半導體芯片封測項目
12.1.1 項目基本概況
12.1.2 項目實施進度
12.1.3 項目投資概算
12.1.4 項目經濟效益
12.1.5 項目可行性分析
12.2 華潤微功率半導體封測基地項目
12.2.1 項目基本概況
12.2.2 項目實施規劃
12.2.3 項目投資必要性
12.2.4 項目投資可行性
12.3 功率半導體“車規級”封測產業化項目
12.3.1 項目基本概況
12.3.2 項目投資概算
12.3.3 項目投資規劃
12.3.4 項目經濟效益
12.3.5 項目投資必要性
12.3.6 項目投資可行性
12.4 嘉興斯達功率半導體項目
12.4.1 項目基本概況
12.4.2 項目投資計劃
12.4.3 項目投資必要性
12.4.4 項目投資可行性
第十三章 功率半導體行業投資(zi)壁壘及風(feng)險分析(xi)
13.1 功率半導體行業投資壁壘
13.1.1 技術壁壘
13.1.2 人才壁壘
13.1.3 資金壁壘
13.1.4 認證壁壘
13.2 功率半導體行業投資風險
13.2.1 宏觀經濟波動風險
13.2.2 政策導向變化風險
13.2.3 中美貿易摩擦風險
13.2.4 國際市場競爭風險
13.2.5 技術產品創新風險
13.2.6 行業利潤變動風險
13.3 功率半導體行業投資邏輯及建議
13.3.1 投資邏輯分析
13.3.2 投資方向建議
13.3.3 企業投資建議
第(di)十四章 功率半導體產業(ye)發展機遇(yu)及(ji)前(qian)景(jing)展望
14.1 功率半導體產業發展機遇分析
14.1.1 進口替代機遇分析
14.1.2 能效標準規定機遇
14.1.3 終端應用升級機遇
14.1.4 工業市場應用機遇
14.1.5 汽車市場應用機遇
14.2 功率半導體未來需求應用場景
14.2.1 清潔能源行業的發展
14.2.2 新能源汽車行業的發展
14.2.3 物聯網行業的發展
14.3 功率半導體產業發展趨勢
14.3.1 產業轉移趨勢
14.3.2 晶圓供不應求
14.4 中國功率半導體行業預測分析
圖表目錄(lu)
圖表1 半導體分類結構圖
圖表2 半導體分類
圖表3 半導體分類及應用
圖表4 功率半導體器件的工作范圍
圖表5 手機中功率半導體的應用示意圖
圖表6 功率半導體性能要求
圖表7 功率半導體主要性能指標
圖表8 功率半導體主要產品種類
圖表9 MOSFET結構示意圖
圖表10 IGBT內線結構及簡化的等效電路圖
圖表11 全球半導體銷售收入及增速
圖表12 2020年全球半導體收入增長結構
圖表13 全球半導體行業研發支出及預測
圖表14 2020全球半導體廠商銷售額TOP10
圖表15 2020年全球半導體前十名銷售廠商區域分布
圖表16 《中國制造2025》半導體產業政策目標與政策支持
圖表17 IC產業政策目標與發展重點
圖表18 《國家集成電路產業發展推進綱要》發展目標
圖表19 一期大基金投資各領域份額占比
圖表20 一期大基金投資領域及部分企業
圖表21 國內半導體發展階段
圖表22 國家集成電路產業發展推進綱要
圖表23 中國半導體產業銷售額及增速
圖表24 2019年全國主要省市集成電路產量
圖表25 2019年集成電路產量區域結構圖
圖表26 2020年全國各省市集成電路產量排行榜
圖表27 2020年中國集成電路銷售區域分布
圖表28 功率半導體設計、制造、封測環節的主要作用
圖表29 提升各環節價值鏈占比的可能因素
圖表30 功率半導體的主要發展驅動力
圖表31 功率半導體廠商選擇IDM的優勢
圖表32 功率半導體行業產業鏈
圖表33 功率半導體相關上市公司
圖表34 我國功率半導體行業上游原材料構成占比
圖表35 我國功率半導體行業上游設備國產化情況
圖表36 中國半導體硅片市場規模
圖表37 中國各尺寸半導體硅片產能結構圖
圖表38 中國從事半導體硅片業務主要企業
圖表39 2019年全球半導體光刻膠市場競爭格局
圖表40 2020年全球光刻機市場競爭格局（按銷售數量）
圖表41 2020年全球光刻機市場競爭格局（按銷售金額）
圖表42 中國光刻機相關領先企業技術進展情況
圖表43 我國功率半導體行業上游相關企業情況
圖表44 2019年中國半導體下游應用占比
圖表45 創新應用驅動功率半導體行業發展
圖表46 我國功率半導體行業下游相關企業情況
圖表47 功率半導體行業發展的主要驅動因素
圖表48 全球功率半導體市場規模及預測
圖表49 2019年全球功率半導體細分市場規模占比
圖表50 2018年全球功率分立器件及模塊主要廠商市場份額
圖表51 2019年全球功率器件主要廠商市場份額
圖表52 2019年全球功率半導體應用領域市場占比
圖表53 功率半導體廠商擴產情況
圖表54 中國功率半導體市場發展特點
圖表55 中國功率半導體市場規模及預測
圖表56 2019年中國功率半導體主要廠商營收
圖表57 2019年中國半導體功率器件十強企業
圖表58 功率半導體器件領域期刊文獻基金分布
圖表59 中國功率半導體主要廠商研發支出
圖表60 國內功率半導體廠商研發人員數量
圖表61 2019年中國半導體下游應用占比
圖表62 MOSFET的分類方式
圖表63 不同類型MOSFET的應用領域
圖表64 MOSFET的發展演進情況
圖表65 市場主流MOSFET產品介紹
圖表66 寬禁帶MOSTET應用場景及性能分析
圖表67 全球MOSFET市場規模及預測
圖表68 2019年全球MOSFET市場廠商市場份額排名
圖表69 2019年中國MOSFET市場格局
圖表70 國內功率半導體廠商的成本優勢
圖表71 價格上漲對于MOSFET廠商的影響
圖表72 價格下跌對MOSFET廠商的影響
圖表73 功率MOSFET分層方式及其應用情況
圖表74 低端功率MOSFET發展特點
圖表75 中端功率MOSFET發展特點
圖表76 高端功率MOSFET發展特點
圖表77 各層次功率MOSFET核心競爭力對比分析
圖表78 功率半導體分類維度及其對應性能特點
圖表79 功率MOSFET主要下游行業及其代表性應用
圖表80 數據中心功率傳輸路徑
圖表81 全球功率MOSFET市場空間測算
圖表82 汽車電子領域功率MOSFET特有認證需求示意圖
圖表83 功率MOSFET市場結構變化趨勢
圖表84 IGBT工藝技術發展史
圖表85 全球IGBT市場規模
圖表86 2019年全球IGBT分立器件主要廠商市場份額
圖表87 2019年全球IGBT模塊主要廠商市場份額
圖表88 2019年全球IPM主要廠商市場份額
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